自旋极化电子穿过不同掺杂半导体区域间界面的传输
介观与纳米尺度物理
2010-09-22 v1 材料科学
摘要
高度自旋极化的电子对于自旋电子器件的运行至关重要。我们研究自旋极化电子穿过两个掺杂浓度不同的 n 型半导体区域之间边界的传输过程。假设非均匀自旋极化在局部被产生/注入，并由电场驱动穿过边界。在双组分漂移-扩散输运模型框架下计算电场分布和自旋极化分布。结果表明，初始形成的窄自旋极化区域可在边界附近进一步被压缩和增强。由于该边界仅涉及掺杂变化，而非两种半导体材料间的真实界面，因此预期不会出现显著的自旋极化损失。该机制将有助于设计新型自旋电子器件。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306041,
title = {Propagation of Spin-Polarized Electrons Through Interfaces Separating Differently Doped Semiconductor Regions},
author = {Yuriy V. Pershin and Vladimir Privman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306041},
year = {2010}
}
备注
Proceedings of the IEEE-Nano 2003, San Francisco, August 2003