非均匀掺杂对半导体中自旋极化的聚焦
介观与纳米尺度物理
2010-10-12 v1
摘要
我们在外加电场下，利用双组分漂移-扩散模型研究了n型半导体中非平衡电子自旋极化的演化和分布。考虑了自旋极化电子通过两个具有不同掺杂水平的半导体区域之间边界的传播。我们假设非均匀自旋极化是局部产生的，并由电场驱动穿过边界。数值计算了电场分布和自旋极化分布。我们表明，初始产生的窄自旋极化区域可以在边界附近进一步压缩和放大。由于边界涉及掺杂变化但不存在两种半导体材料之间的实际界面，因此预计不会出现显著的自旋极化损失。因此，所提出的机制将有助于设计新的自旋电子器件。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302523,
title = {Focusing of Spin Polarization in Semiconductors by Inhomogeneous Doping},
author = {Yuriy V. Pershin and Vladimir Privman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302523},
year = {2010}
}