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具有ZnTe势垒的磁性隧道结中的自旋极化输运

介观与纳米尺度物理 2022-11-01 v1 材料科学

作者: W. G. Wang , C. Ni , A. Ozbay , L. R. Shah , X. Fan , X. M. Kou , E. R. Nowak , J. Q. Xiao

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摘要

制备了具有宽禁带半导体ZnTe势垒的磁性隧道结。在室温下，于Fe/ZnTe/Fe结中观察到极低的势垒高度和可观的磁电阻。非线性的I-V特性曲线证实了所观察到的磁电阻源于自旋依赖隧穿效应。温度依赖研究表明，该结的总电导由直接隧穿主导，仅有小部分来自穿过势垒内缺陷态的跳跃导电。

关键词

磁性隧道结 ZnTe势垒自旋依赖隧穿磁电阻直接隧穿跳跃导电

引用

@article{arxiv.2210.16727,
  title  = {Spin-polarized transport in magnetic tunnel junctions with ZnTe barriers},
  author = {W. G. Wang and C. Ni and A. Ozbay and L. R. Shah and X. Fan and X. M. Kou and E. R. Nowak and J. Q. Xiao},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2210.16727},
  year   = {2022}
}