对称半导体势垒中自旋依赖隧穿：德雷尔赫斯效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
研究包含 k^3 德雷尔赫斯效应的对称半导体势垒中的自旋依赖隧穿。可解析地获得电子的自旋传递系数。通过与前期工作（Phys. Rev. B 67. R201304 (2003) 和 Phys. Rev. Lett. 93. 056601 (2004)）的比较，表明在电流算符中包含非对角元后，自旋极化和界面电流发生显著变化，在接触区域由德雷尔赫斯效应显著增强。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509641,
title = {Spin-dependent tunneling through a symmetric semiconductor barrier: the Dresselhaus effect},
author = {L. G. Wang and Wen Yang and Kai Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509641},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 5 figures, to appear in PRB