硅中电注入自旋极化电子的微波操控
介观与纳米尺度物理
2013-12-16 v1
摘要
我们演示了对硅中电注入自旋极化电子自旋态的微波操控。尽管硅通道由铁磁金属薄膜界定，但我们表明可以将适度的微波功率施加于器件而不会显著改变器件操作。利用共振微波辐照诱导自旋极化电子在穿越硅通道时的自旋旋转，随后通过铁磁肖特基势垒自旋探测器检测生成的自旋极化。这些结果展示了结合先进电子自旋共振技术以补充标准磁输运测量之外的半导体自旋电子器件研究的潜力。
引用
@article{arxiv.1312.3663,
title = {Microwave manipulation of electrically injected spin polarized electrons in silicon},
author = {C. C. Lo and J. Li and I. Appelbaum and J. J. L. Morton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3663},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures