磁性共振隧穿二极管中的电压控制自旋选择
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我们制备了基于 (Zn,Mn,Be)Se 材料体系的全 II-VI 族半导体共振隧穿二极管，其中量子阱内含稀释磁性材料，并研究了其电流-电压特性。当施加外磁场时，量子阱中能级的自旋劈裂导致透射共振分裂为两个独立的峰。这被解释为通过自旋极化能级进行隧穿输运的证据，并可能是迈向电压控制自旋滤波器的第一步。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305124,
title = {Voltage-Controlled Spin Selection in a Magnetic Resonant Tunnelling Diode},
author = {A. Slobodskyy and C. Gould and T. Slobodskyy and C. R. Becker and G. Schmidt and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305124},
year = {2009}
}
备注
To be published in Phys. Rev. Lett