铁磁半导体共振隧穿二极管中偏压控制的磁化开关
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2 材料科学
摘要
我们预测，当下游化学势降至量子阱共振能量以下时，铁磁共振隧穿二极管的居里温度将突然降低约一半。该性质源于基本量子输运理论概念与稀释磁性半导体铁磁性的平均场描述的结合。我们通过自洽求解耦合的非平衡格林函数、磁性平均场和静电泊松方程，预测了模型系统磁化的偏压和温度依赖性，以此阐明了这一效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409106,
title = {Bias voltage controlled magnetization switch in ferromagnetic semiconductor resonant tunneling diodes},
author = {Swaroop Ganguly and L. F. Register and S. Banerjee and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409106},
year = {2009}
}
备注
20 pages, 7 figures, corrected typo in caption of figure 1