铁磁半导体Ga1-xMnxAs的交换偏置
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们展示了铁磁半导体(Ga1-xMnxAs)与覆盖生长的反铁磁体(MnO)之间的交换耦合。与大多数传统交换偏置系统不同，反铁磁体的阻塞温度(T_B = 48 ± 2 K)和铁磁体的居里温度(T_C = 55.1 ± 0.2 K)相当。当双层膜在外加磁场存在下冷却时，所产生的交换偏置表现为磁化强度磁滞回线的明显移动以及矫顽场的增强。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312259,
title = {Exchange Biasing of the Ferromagnetic Semiconductor Ga1-xMnxAs},
author = {K. F. Eid and M. B. Stone and K. C. Ku and P. Schiffer and N. Samarth and T. C. Shih and C. J. Palmstrom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312259},
year = {2009}
}
备注
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