由 MnO 偏置的铁磁半导体 (Ga,Mn)As
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们提供了关于将铁磁半导体 (Ga1-xMnxAs) 通过与反磁氧化物层 (MnO) 的近距离作用来实现交换偏置方面取得进展的概述。我们对反磁层进行详细表征，使用 Rutherford 反质谱、X射线光电子能谱、透射电子显微镜和 X 射线反射。此外，我们描述了交换场和 coercive 场随温度和冷却场的变化情况，针对多个样品进行研究。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505015,
title = {Exchange Biasing of the Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As by MnO},
author = {K. F. Eid and M. B. Stone and O. Maksimov and T. C. Shih and K. C. Ku and W. Fadgen and C. J. Palmstrom and P. Schiffer and N. Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505015},
year = {2009}
}
备注
To appear in J. Appl. Phys. (invited paper in Proceedings of the 49th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials); pdf file only