Ga$_{1-x}$Mn$_{x}$As紧束缚模型的动力学平均场近似研究
强关联电子
2010-07-28 v1
摘要
本文在动力学平均场近似（DMFA）框架下研究了铁磁半导体GaMnAs的磁光性质。采用针对GaAs宿主色散的材料特异性多能带紧束缚哈密顿量。计算得到的态密度显示，在磁耦合取大值和中值时分别出现杂质带和畸变价带。采用更真实的能带结构后，铁磁转变温度比先前模型的预测显著更接近实验结果。光学电导率在低频下显示出类德鲁德峰，该峰随磁耦合的增加而受到抑制。
引用
@article{arxiv.1007.4609,
title = {A dynamical mean-field approximation study of a tight-binding model for Ga$_{1-x}$Mn$_{x}$As},
author = {A. -M. Nili and U. Yu and J. Moreno and D. Browne and M. Jarrell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.4609},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures