镀磁半导体的临界温度：动力学均场研究
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们构建了 GaMnAs 等掺杂磁性半导体的理论模型, 这些材料因其在自旋电子器件中的潜在应用而备受关注。我们在动力学均场近似下求解该理论, 以磁耦合强度 J 和载流子密度 n 为函数形式求出磁相变临界温度 。我们发现 由载流子密度与磁耦合之间的微妙相互作用所决定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106455,
title = {Transition temperature of ferromagnetic semiconductors: a dynamical mean field study},
author = {A. Chattopadhyay and S. Das Sarma and A. J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106455},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures