具有角动量 j 的磁性半导体的转变温度
强关联电子
2009-11-11 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们采用动力学平均场理论来确定能够优化广义双交换（DE）模型 Tc 的材料性质。我们得出了令人意外的结论：当能带角动量 j 等于 3/2 且 1/2 和 3/2 子能带中的有效质量相等时，Tc 达到最大值。然而，我们也发现当质量比从 1 减小时，Tc 显著降低。因此，寻找具有高 Tc 的稀磁半导体（DMS）材料应从两方面推进。在具有 p 能带的半导体中，如目前研究的 Mn 掺杂 Ge 和 GaAs 半导体，可以通过应变工程或人工纳米结构调节能带质量来优化 Tc。另一方面，具有 s 或 d 能带且有效质量近乎相等的半导体，可能比有效质量差异较大的 p 能带材料具有更高的 Tc。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507487,
title = {Transition Temperature of a Magnetic Semiconductor with Angular Momentum j},
author = {Juana Moreno and Randy S. Fishman and Mark Jarrell},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507487},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures