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(Ga,Mn)As中的自旋偏极Zener隧穿

介观与纳米尺度物理 2009-11-07 v1 材料科学

作者: E. Johnston-Halperin , D. Lofgreen , R. K. Kawakami , D. K. Young , L. Coldren , A. C. Gossard , D. D. Awschalom

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摘要

我们研究了基于(Ga,Mn)As的Zener隧道二极管中的自旋偏极间带隙隧穿。通过在二极管施加反向偏置，将p型(Ga,Mn)As价带中的电子自旋偏移到相邻n型GaAs层的导带中。所产生的电流通过注入到量子阱发光二极管中，其电子发光偏振随温度和磁场的变化而跟踪(Ga,Mn)As层的磁化程度。

关键词

自旋偏极隧穿 Zener二极管 GaMnAs 反向偏置电子发光

引用

@article{arxiv.cond-mat/0110062,
  title  = {Spin-polarized Zener tunneling in (Ga,Mn)As},
  author = {E. Johnston-Halperin and D. Lofgreen and R. K. Kawakami and D. K. Young and L. Coldren and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110062},
  year   = {2009}
}

备注

11 pages, 4 figures. Submitted, Physical Review B15 Rapid Communications