宽带隙异质结构中的极化诱导齐纳隧穿结

III-V族氮化物中巨大的电子极化使得在其他半导体族中不可能实现的新物理成为可能。本文通过利用极化诱导电场，演示了宽带隙GaN异质结中的带间齐纳隧穿。由此产生的隧穿二极管在反向偏压下具有更高的电导率，这可应用于零偏压整流和毫米波成像。由于带间隧穿在传统上对宽带隙半导体是难以实现的，这些极化诱导结构及其变体可以促成多种器件的应用，例如能在高温和高场下运行的多结太阳能电池。