高迁移率二维电子气中 Landau 轨道之间的Zener隧穿
凝聚态物理
2009-11-07 v1
摘要
在侧向约束的二维电子气 (2DEG) 中，磁传输可因倾斜的霍尔势垒而呈现受修改的散射通道。通过Zener隧穿机制，可实现 Landau 能级之间电子的能级转移，其导向中心偏移，对于磁阻具有显著贡献。在高迁移率GaAs-AlGaAs异结构中观察到的弱场磁阻显著振荡效应，可良好地由Zener机制解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204487,
title = {Realization of wide electron slabs by polarization bulk doping in graded III-V nitride semiconductor alloys},
author = {Debdeep Jena and Sten Heikman and Daniel Green and Ilan B. Yaacov and Robert Coffie and Huili Xing and Stacia Keller and Steve DenBaars and James S. Speck and Umesh K. Mishra},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204487},
year = {2009}
}
备注
Submitted to Applied Physics Letters