梯度 Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N 三维电子层的控制
介观与纳米尺度物理
2016-02-17 v1
摘要
通过金属有机气相外延，在非故意掺杂和 掺杂的 GaN:Si 缓冲/储备层上生长的梯度 AlGaN 层（：0%37%）中，实现了极化诱导的简并 型掺杂，电子浓度高达 10\,cm。高分辨率 X 射线衍射、透射电子显微镜和电子能量损失谱证实了 AlGaN 层成分的梯度，而磁输运研究揭示了三维电子层的形成，其电导率可通过 GaN(:Si) 缓冲/储备层进行调节。
引用
@article{arxiv.1507.00927,
title = {Controlling a three dimensional electron slab of graded Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N},
author = {R. Adhikari and Tian Li and G. Capuzzo and A. Bonanni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.00927},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 4 figures