极化掺杂三维电子板的磁输运性质

我们提供了在 Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N 半导体系统中的极化掺杂简并三维电子板中，存在强烈 Shubnikov-de-Haas 磁阻振荡的证据。简并自由载流子是通过一种新技术产生的，即通过空间变化极化对极性合金半导体进行渐变掺杂。对磁输运数据的分析使我们能够提取出 $m^{\star}=0.19 m_{0}$ 的有效质量和 $\tau_{q}= 0.3 ps$ 的量子散射时间。对散射过程的分析帮助我们提取出 Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N 材料系统的合金散射参数为 $V_{0}=1.8eV$。