窄 Al_xGa_{1-x}N/GaN 线中自旋-轨道散射长度的增强

对一组相同的平行 AlGaN/GaN 量子线结构中的磁输运进行了研究。这些线的宽度在 1110 nm 至 340 nm 之间变化。对于所有线组，均观察到清晰的 Shubnikov--de Haas 振荡。我们发现所有线的电子浓度和迁移率大致相同，这证实了 AlGaN/GaN 异质结构中的电子气并未因线结构的制备工艺而劣化。对于较宽的量子线，清晰地观测到弱反局域化效应，表明存在自旋-轨道耦合。对于有效电学宽度低于 250 nm 的窄量子线，弱反局域化效应受到抑制。通过将实验数据与准一维结构的理论模型进行比较，我们得出窄线中自旋-轨道散射长度增强的结论。