GaAs-in-Al2O3 量子线晶体管结构中电子漂移速度的控制——源于电子散射速率的改变
介观与纳米尺度物理
2008-06-20 v1
摘要
基于薄未掺杂 GaAs-in-Al2O3 量子线的晶体管结构中的电子输运通过系综蒙特卡洛方法进行了模拟，考虑了电子与声子和表面粗糙度的散射。 investigated the influence of surface roughness height on electron drift velocity at 77 and 300 K for longitudinal electric field strength values of 0.1 and 1.0 kV/cm. 确认了通过改变施加于栅极的偏压来控制电子漂移速度的可能性，该偏压的变化导致电子散射速率的改变。
引用
@article{arxiv.0806.3181,
title = {Electron drift velocity control in GaAs-in-Al2O3 quantum wire transistor structure due to the electron scattering rate alteration},
author = {Andrei Borzdov and Dmitry Pozdnyakov and Vladimir Borzdov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.3181},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 3 figures