二维电子系统中黏性磁输运的几何工程

在本研究中，我们展示了利用多种器件几何结构（包括带薄势垒的障碍物和周期性宽度变化）对 GaAs 量子阱中二维电子系统的磁输运特性进行的实验研究。我们的主要重点是探索这些几何结构对电子黏性流参数的影响，从而在受控条件下精确调控流体动力学效应。通过对大负磁电阻和零场电阻的分析，我们推导出电子-电子和电子-声子相互作用的散射时间以及有效沟道宽度。我们的发现证实，所研究的系统可作为在 10 K 以上温度研究流体动力学输运区的可调实验平台。