双层电子系统中的黏性磁输运与古尔日效应
介观与纳米尺度物理
2021-02-11 v1
摘要
我们在由宽 GaAs 量子阱构成的双层电子(BL)系统中观察到显著的负磁阻以及电阻率随温度升高而降低的现象,即古尔日效应。我们采用窄通道中单流体输运参数的流体动力学模型,并成功描述了我们的实验发现。我们发现,与单带量子阱(SW)相比,双层中的电子-电子散射更为剧烈。流体动力学假设意味着对边界条件的强烈依赖,这可由滑移长度来表征,用以描述液体在边缘附近的行为。我们的结果表明,BL 中的滑移长度比 SW 中更短,且 BL 系统更深入地进入流体动力学 regime。这与所提出的模型一致,其中滑移长度的量级为电子-电子平均自由程。
引用
@article{arxiv.2102.05598,
title = {Viscous magnetotransport and Gurzhi effect in bilayer electron system},
author = {G. M. Gusev and A. S. Jaroshevich and A. D. Levin and Z. D. Kvon and A. K. Bakarov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.05598},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 8 figures