二维电子在磁场中的弹道输运

在缺陷密度非常低的导体中，低温下的电子主要与样品边缘发生碰撞。因此，实现了电荷和热量输运的弹道区。施加垂直磁场会显著改变弹道输运的特性。对于二维 (2D) 电子，在对应于回旋轨道直径小于样品宽度的磁场中，会形成流体动力学输运区。在后一种区域中，流动主要由稀少的电子-电子碰撞控制，这些碰撞决定了粘滞效应。在这项工作中，我们研究了长样品中二维电子在直至过渡到流体动力学区的临界磁场范围内的弹道流。通过求解动力学方程，我们得到了远离和接近弹道-流体动力学转变区域的电流密度和霍尔电场分布，以及这些范围内的纵向和霍尔电阻的解析公式。我们的理论结果显然描述了纯石墨烯样品在低于弹道-流体动力学转变的磁场区间内观测到的纵向电阻。