反常古尔日效应
介观与纳米尺度物理
2022-02-25 v2 强关联电子
摘要
我们研究了手性反常在 Weyl 或 Dirac 半金属薄膜输运的流体力学与交叉区中所起的作用。我们表明，沿磁场方向的电导率中依赖于磁场的部分呈现出一种不寻常的对温度的非单调依赖关系，被称为反常古尔日效应。该效应在足够洁净的半金属中、处于经典弱磁场下得以实现，此时电子-电子散射占主导，且谷不平衡电荷密度的弛豫发生在边界处。此外，我们确定了在三维 Dirac 和 Weyl 半金属输运的流体力学与交叉区中实现常规古尔日效应的条件。
引用
@article{arxiv.2112.00781,
title = {Anomalous Gurzhi effect},
author = {P. O. Sukhachov and Björn Trauzettel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.00781},
year = {2022}
}
备注
21 pages, 4 multi-panel figures; published version