流体动力下电子液的焦热效应与电子Gurzhi效应

我们对GaAs/AlGaAs量子井中电子液在流体动力学 regime 下进行了微分电阻研究。在零磁场($B$)下，由U型交流电流环驱动的非线性输运表现出洛伦兹曲线轮廓。在(交直流)测量中，最小深度随外部直流电流偏置($j_{dc}$)而加深。我们的分析表明，由$j_{dc}$引起的电子输运谷底归因于电子液电子温度($T_{e}$)的焦热效应。定量上，我们证明粘度电阻($\Delta \rho$)与$T^{-2}$成正比，与各种测量配置下的直流电流诱导电子Gurzhi效应一致。