高迁移率 Corbino 环中的反常电子输运
介观与纳米尺度物理
2023-07-18 v2
摘要
我们报道了在 GaAs/Al-GaAs 二维电子气(2DEG)中制备的两个多端 Corbino 样品上的低温电子输运测量,其具有超高电子迁移率( 且电子密度分别为 和 。在两个 Corbino 样品中,均在 1~ 以下观察到电阻温度依赖性的非单调行为。令人惊讶的是,在电子密度较低的样品中观察到电阻随温度升高的急剧下降,而在密度较高的样品中观察到相反行为。为进一步研究,在具有完全相同异质结构的大尺寸 van der Pauw 样品上进行了输运测量,正如预期,它们表现出随温度单调变化的电阻率。最后,我们从导致弹道与流体动力学电子输运的各种长度尺度以及可能的 Gurzhi 效应角度讨论了结果。
引用
@article{arxiv.2302.12147,
title = {Anomalous Electronic Transport in High Mobility Corbino Rings},
author = {Sujatha Vijayakrishnan and F. Poitevin and Oulin Yu and Z. Berkson-Korenberg and M. Petrescu and M. P Lilly and T. Szkopek and Kartiek Agarwal and K. W. West and L. N. Pfeiffer and G. Gervais},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.12147},
year = {2023}
}