磁性共振隧穿二极管中自旋隧穿时间的量子尺寸效应
介观与纳米尺度物理
2009-10-24 v2
摘要
我们理论研究了具有 (Zn,Mn)Se 稀磁半导体层的磁性共振隧穿二极管 (RTD) 的量子尺寸效应对自旋隧穿时间和电子自旋极化的影响。结果表明，自旋隧穿时间可能振荡，并且根据系统参数，可以获得相反自旋方向电子的隧穿时间之间的巨大差异。我们还研究了与非磁性层厚度差异相关的结构不对称性的影响。发现结构不对称性可以极大地影响电子隧穿通过磁性 RTD 的穿越时间和自旋极化。结果表明，通过选择合适的层厚度，可以设计出高速且完美的自旋滤波二极管。
引用
@article{arxiv.0905.1496,
title = {Quantum size effects on spin-tunneling time in a magnetic resonant tunneling diode},
author = {Alireza Saffarzadeh and Reza Daqiq},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.1496},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 5 figures