GaAs中等价氮中心的空间分辨电子结构
介观与纳米尺度物理
2017-11-01 v1
摘要
少量氮掺杂剂显著改变GaAs的电子性质，产生导带能量的非常大偏移（具有非线性浓度依赖），以及导带内杂质相关的空间局域共振态。横截面扫描隧道显微镜提供了(110) GaAs表面处单氮掺杂剂的局域电子结构，在成像空态时产生高度各向异性的空间形状。相对于GaAs表面态的共振态测量及其空间范围使得能够将特定特征明确分配给解理(110)表面下方不同深度的氮原子。氮在导带中共振能量附近的多带紧束缚计算与成像特征相符。空间各向异性归因于体晶格的四面体对称性。此外，填充态成像中两个特征的电学衬度电压依赖表明这些特征可能与局部修饰的表面态有关。
引用
@article{arxiv.1605.09006,
title = {Spatially resolved electronic structure of an isovalent nitrogen center in GaAs},
author = {R. C. Plantenga and V. R. Kortan and T. Kaizu and Y. Harada and T. Kita and M. E. Flatté and P. M. Koenraad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.09006},
year = {2017}
}