利用调制针尖-样品电压对 Ga[Al]As 异质结构进行局部氧化
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
基于扫描力显微镜局部氧化的纳米光刻技术已在未掺杂的 GaAs 晶圆和具有未掺杂 GaAs 盖层及浅层二维电子气的 Ga[Al]As 异质结构上实施。比较了在施加于扫描力显微镜导电针尖的恒定电压和调制电压下，氧化物生长以及由此产生的图案化结构的电子特性。所有光刻均在非接触模式下进行。调制施加电压增强了氧化物线的纵横比，这显著增强了 GaAs 上氧化物线的绝缘性能。此外，发现氧化过程更加可靠和可重复。利用这种技术，定义了量子点接触和量子线，并证明其电子稳定性、限制势和电可调谐性与恒定电压氧化相似。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601704,
title = {Local oxidation of Ga[Al]As heterostructures with modulated tip-sample voltages},
author = {D. Graf and M. Frommenwiler and P. Studerus and T. Ihn and K. Ensslin and D. C. Driscoll and A. C. Gossard},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601704},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 7 figures, accepted by J. Appl. Phys