离子凝胶栅控氧化物晶体管中纳米尺度电导演化的直接成像
介观与纳米尺度物理
2023-07-19 v1
摘要
通过电解门控对功能材料进行静电修饰已展现出极宽的密度调制范围，这是从复杂氧化物到层状硫族化物等体系中发展新型电子相的关键条件。然而，由于在埋藏的电解质-半导体界面成像存在技术挑战，对于电解质门控电双层晶体管（EDLTs）中载流子被调制的微观过程知之甚少。在此，我们展示了利用低温微波阻抗显微镜对ZnO EDLTs沟道电导的实空间映射。典型厚度低于50 nm的自旋涂覆离子凝胶层使我们能够进行高分辨率（约100 nm）亚表面成像，同时保持施加栅压诱导金属-绝缘体转变的能力。微波图像生动展示了通过转变过程的沟道电导空间演化及其局部涨落，以及由大源漏偏压建立的不均匀电导分布。超薄离子凝胶门控与微波成像的独特结合为研究EDLTs中的局域输运和介观电子性质提供了新机遇。
引用
@article{arxiv.1506.03785,
title = {Direct Imaging of Nanoscale Conductance Evolution in Ion-Gel-Gated Oxide Transistors},
author = {Yuan Ren and Hongtao Yuan and Xiaoyu Wu and Zhuoyu Chen and Yoshihiro Iwasa and Yi Cui and Harold Y. Hwang and Keji Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03785},
year = {2023}
}
备注
to be published on Nano Letter