Ga[Al]As 异质结构局部氧化定义的量子线的自洽模拟
介观与纳米尺度物理
2007-12-22 v2
摘要
类似于在 Ga[Al]As 异质结构局部氧化所定义的纳米结构上进行的实验，我们计算了量子线的电子宽度与其光刻宽度的函数关系。在局域密度近似的密度泛函理论框架下，我们对 Ga[Al]As 异质结构顶部定义量子线的两条平行氧化线进行了二维模拟，结果与测量值相符。文中对各种实验不确定度的影响进行了定量评估。结果表明，影响最大的参数是氧化线深度，其次是其精确形状和背景掺杂效应（影响按降序排列）。
关键词
引用
@article{arxiv.0710.1160,
title = {Self-consistent simulation of quantum wires defined by local oxidation of Ga[Al]As heterostructures},
author = {C. May and M. Troyer and K. Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.1160},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 6 figures; revised figures, clarified text