孤立铋纳米线中的量子尺寸效应
介观与纳米尺度物理
2007-11-30 v1
摘要
我们在室温和低温下，对长宽比高达 60 的孤立高结晶度半金属铋纳米线进行了四探针电输运测量。通过适当选择基底材料和薄膜沉积参数，制造出了横向尺寸小至单个晶粒（约 250 nm）的光刻纳米线。通过对同一根纳米线进行连续的 reactive ion etching，测量了每根纳米线的电阻与其厚度的关系。量子尺寸效应表现为电阻中的规则振荡。我们观测到了一些半金属到半导体相变的证据。测量数据在现有理论模型的框架内进行了讨论。
引用
@article{arxiv.0711.4816,
title = {Quantum size effects in solitary wires of bismuth},
author = {Shadyar Farhangfar},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.4816},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 6 figures, and the LaTeX source