一维铋量子线三维网络中的电子输运
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
为观测其预期的半导体行为，研究了多孔 Vycor 玻璃中直径 6 nm 的 Bi 线高密度网络的电阻 R。R 从 300 K 降至 0.3 K 的过程中持续增大。在 4 K 以下，R 近似按 ln(1/T) 变化，其电阻上升的数量级以及磁电阻行为均与强自旋轨道散射下的一维无序导体的局域化及电子-电子相互作用理论相符。我们表明，该行为及表面增强的载流子密度可能掩盖所提出的量子 Bi 线的半金属-半导体转变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910241,
title = {Electronic Transport in a Three-dimensional Network of 1-D Bismuth Quantum Wires},
author = {T. E. Huber and M. J. Graf},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910241},
year = {2009}
}
备注
19 pages total, 4 figures; accepted for publication in Phys. Rev. B