氧化物异质结构中一维强关联电子的量子化电导
介观与纳米尺度物理
2019-05-15 v1
摘要
氧化物异质结构是研究和制造新型功能纳米结构的通用平台。我们成功地在MgZnO/ZnO异质结构上利用量子点接触开发了单维（1D）量子线器件，并观察到以2e^{2}/h为单位的量子化电导弹道电子输运。通过直流偏置和面内场测量，我们发现g因子增强至约6.8，超过体相ZnO中数值的三倍以上。我们表明有效质量m^{*}随电子密度降低而增加，这源于强电子-电子相互作用。在该强相互作用1D系统中，我们研究了匹配至第五子带的0.7电导异常特征。本文证明，此类高迁移率氧化物异质结构可作为传统III-V半导体的良好替代用于自旋电子学与量子计算，因为它们没有核自旋带来的不可避免退相干。这为利用无掺杂异质结构的低缺陷以及硅中可实现的长自旋寿命来开发量子比特铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1903.03476,
title = {Quantised conductance of one-dimensional strongly-correlated electrons in an oxide heterostructure},
author = {H. Hou and Y. Kozuka and Jun-Wei Liao and L. W. Smith and D. Kos and J. P. Griffiths and J. Falson and A. Tsukazaki and M. Kawasaki and C. J. B. Ford},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.03476},
year = {2019}
}