利用扫描隧道显微镜改变半导体中双稳态单磁掺杂剂的晶格位置
介观与纳米尺度物理
2015-05-15 v1
摘要
我们报道了当施加小的正偏压时，在GaAs表面单个Fe掺杂剂附近用扫描隧道显微镜测量的形貌发生可逆且滞后的变化。对嵌入GaAs中的单个Fe原子形成能作为取代位位移函数的一阶原理计算支持Fe掺杂剂可逆晶格位移的解释。我们的计算表明Fe掺杂剂在晶格内存在第二种稳定构型，其特征为沿[111]轴位移，并伴随Fe周围原子构型对称性从四重对称变为六重对称。所得原子构型随后用于紧束缚计算以确定Fe位置移动对形貌的影响。这些结果扩展了已演示的由电子诱导的掺杂剂局部构型变化的范围，因此可能有助于敏感控制掺杂剂性质与掺杂剂-掺杂剂相互作用。
引用
@article{arxiv.1505.03816,
title = {Changing the lattice position of a bistable single magnetic dopant in a semiconductor using a scanning tunneling microscope},
author = {J. M. Moore and V. R. Kortan and M. E. Flatté and J. Bocquel and P. M. Koenraad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.03816},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 6 figures