矩形高-T$_{\rm c}$超导单层中晶格畸变诱导的一阶与二阶拓扑相变

我们从理论上研究了矩形 FeSe$_{x}$Te$_{1-x}$ 单层中晶格畸变诱导的一阶与二阶拓扑相变。当沿一个方向压缩晶格常数时，我们的第一性原理计算表明，FeSe$_x$Te$_{1-x}$ 在较宽的掺杂范围 $x\in(0.0,0.7)$ 内于 $\Gamma$ 点发生能带反转，这保证了拓扑能带态与高-T$_{\rm c}$ 超导性的共存。这种单轴压力还导致 C$_4$ 对称性破缺，这是单层 FeSe$_x$Te$_{1-x}$ 在有无时间反演对称性的情况下均能支持马约拉纳角态所必需的。特别地，我们使用 $k\cdot p$ 方法拟合第一性原理计算的能带结构，发现由于 C$_4$ 对称性破缺，沿 $(100)$ 和 $(010)$ 方向的边缘态具有不同的狄拉克能量。这对于在 D 类中获得马约拉纳角态至关重要，而无需考虑超导配对对称性和塞曼形式的具体细节，这可能在实验实现中带来优势。