超导 Fe(Se,Te) 中由一维缺陷引起的拓扑平庸能隙填充
超导电性
2024-05-08 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
强关联电子
摘要
结构畸变与缺陷是材料科学的一个关键方面，在宏观尺度上提供强度的同时，也会加剧腐蚀并降低电和热导率。在纳米尺度上，多原子缺陷（如原子链和晶格畴壁）反而被提出作为实现拓扑超导性的一种途径，其最显著的特征是涌现出可用于无错量子计算的 Majorana 费米子。在此，我们进一步揭示了 Fe(Se,Te) 中可能存在一维色散 Majorana 模式的所谓畴壁的本质。我们表明，这些线缺陷处原子晶格的位移偏移是由使最顶层发生翘曲的亚表面杂质引起的。利用针尖与样品之间的电场，我们成功重新定位了亚表面杂质，直接观察到位移偏移和下方无缺陷的晶格。这些结果，结合对超导性保持完全能隙的另一种完全不同类型的 1D 缺陷的观察，突显了 Fe(Se,Te) 中 1D 缺陷的拓扑平庸性质。
关键词
引用
@article{arxiv.2405.03748,
title = {Topologically trivial gap-filling in superconducting Fe(Se,Te) by one dimensional defects},
author = {A. Mesaros and G. D. Gu and F. Massee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.03748},
year = {2024}
}
备注
Main text and Supplementary Information