利用 STM 操控 GaAs 中单个 Fe 杂质的价态
介观与纳米尺度物理
2012-03-29 v1 材料科学
摘要
本文通过截面扫描隧道显微镜 (X-STM) 研究了 Fe 在 GaAs 中的掺入。观察到单个 Fe 原子的局部电子衬度强烈依赖于其电荷态。我们证明施加针尖电压可用于操控 GaAs 中单个 Fe 杂质的价态和自旋态。特别地，我们可以诱导从 Fe{3+} - 3d5 - 等电子态到 Fe{2+} - 3d6 - 电离受主态的转变，并伴随自旋磁矩的变化。Fe 原子在形貌图中有时会产生暗的各向异性特征，这与不同隧穿路径之间的干涉相一致。
引用
@article{arxiv.1203.6293,
title = {Valence state manipulation of single Fe impurities in GaAs by STM},
author = {J. Bocquel and V. R. Kortan and R. P. Campion and B. L. Gallagher and M. E. Flatté and P. M. Koenraad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.6293},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 5 figures