镭在镓砷中的自中位松弛：ab initio 表征
材料科学
2009-11-13 v2
摘要
研究了镭自中位 () 在 GaAs 中的行为，使用 local-orbital ab-initio 代码 SIESTA 计算包含 {216+1} 个原子的超胞。从八个初始配置出发，我们发现五个亚稳定结构：两个四面体位点外加 110-分裂 、111-分裂 和 100-分裂 。通过研究各种配置和 的电荷之间的竞争，我们发现 Ga 自中位在 GaAs 中主要呈现 +1 电荷，或为中性，最多为 -1，具体取决于掺杂条件，且倾向于占据四面体配置，其中被 Ga 原子包围。我们的结果与最新实验结果关于 主导电荷的观察高度一致，凸显了缺陷计算中有限尺寸效应的重要性。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701623,
title = {Gallium self-interstitial relaxation in Gallium Arsenide: an {ab initio} characterization},
author = {Marc-André Malouin and Fedwa El-Mellouhi and Normand Mousseau},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701623},
year = {2009}
}
备注
v1) 18 pages, 5 figures, submitted to PRB (Latex preprint version) v2) 9 pages, 5 figures, reviewed version resubmitted to PRB (correction to equation 1, some changes and reformulations, minor grammatical and typo corrections, added reference)