GaAs中砷间隙原子的第一性原理研究：收敛性、弛豫与形成能
材料科学
2015-03-17 v1
摘要
以GaAs中的砷分裂间隙原子为例，研究了缺陷形成能、电荷跃迁能级、局域缺陷态性质以及缺陷原子结构与弛豫的密度泛函超胞计算收敛性。考虑了包含多达217个原子的超胞以及多种{\bf k}空间采样方案。结果表明，尽管缺陷结构和原子弛豫可以在65个原子的胞中良好收敛，但要对局域缺陷态色散和电荷态跃迁能级进行良好描述，至少需要217个原子的超胞。计算了GaAs中As分裂间隙原子、Ga空位和As反位缺陷的形成能，并考虑了其对化学势和费米能的依赖性。研究发现，在富As、型或半绝缘GaAs中，As间隙原子的平衡浓度将远低于As反位缺陷的平衡浓度。
引用
@article{arxiv.1101.1413,
title = {First-principles study of As interstitials in GaAs: Convergence, relaxation, and formation energy},
author = {J T Schick and C G Morgan and P Papoulias},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1413},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 5 figures