砷化镓中的自空位：第一性原理计算
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们在此报告使用局域基集的第一性原理密度泛函计算，重新考察了 GaAs 中空位的静态性质。我们计算的形成能得到出了与近期实验和第一性原理计算良好一致的结果，并对来自两个子晶格的各种电荷态空位给出了弛豫几何和能量学的完整描述。镓空位在 0、-1、-2、-3 电荷态下稳定，但 仍是本征和 n 型 GaAs 中的主导电荷态，证实了正电子湮没的结果。有趣的是，砷空位表现出两次连续的负 U 转变，使得仅 +1、-1 和 -3 电荷态稳定，而中间缺陷为亚稳态。第二次转变（-/-3）为 带来了共振键弛豫，类似于在硅和 GaAs 双空位中识别出的弛豫。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409246,
title = {Self-vacancies in Gallium Arsenide: an ab initio calculation},
author = {Fedwa El-Mellouhi and Normand Mousseau},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409246},
year = {2009}
}
备注
14 pages