离子晶体中的局域晶格势与稳态空位
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
基于局域势的特征，本文揭示了空位形成的两大主要趋势。由于电子退局域化对势能的巨大贡献，接近局域离子稳定性阈值，这解释了 AB 型本征半导体中典型的热阴离子空位现象。另一方面，势场均衡化的趋势导致了在 Ni_3 Sb 及相关化合物中观察到的高浓度结构阳离子空位。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208248,
title = {Local lattice potentials and steady-state vacancies in ionic crystals},
author = {Eugene V. Kholopov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208248},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures, Revtex4