实空间赝势方法计算的硅纳米晶体中空位的结构与性质
材料科学
2007-10-11 v1
摘要
利用实空间密度泛函理论/赝势方法，研究了 2 纳米硅纳米晶体中空位的结构与性质。观察发现，空位的电子性质和形成能直接取决于空位位置的局部对称性。计算了空位和弗兰克尔（Frenkel）对的形成能。研究发现，这两种缺陷在较小晶体中的能量更低。在 2 纳米纳米晶体中，形成弗兰克尔对的能量为 1.7 eV，形成空位的能量不超过 2.3 eV。通过 nudged elastic band 算法考察了空位扩散的能垒。
引用
@article{arxiv.0710.2099,
title = {The structure and properties of vacancies in Si nano-crystals calculated by real-space pseudopotential methods},
author = {S. P. Beckman and James R. Chelikowsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.2099},
year = {2007}
}