Si(001) 与 Ge(001) 上的二聚体空位及二聚体空位线的比较研究
材料科学
2009-11-10 v3
摘要
虽然洁净的 Si(001) 和 Ge(001) 表面非常相似，但迄今为止的实验表明，二聚体空位 (DV) 缺陷在 Si(001) 上自组织成空位线 (VL)，但在 Ge(001) 上不自组织。本文通过经验势能计算旨在理解 Si(001) 和 Ge(001) 上空位之间的差异。我们确定三个能量参数来表征两种表面的 DV：单个 DV 的形成能、相邻二聚体行中两个 DV 之间的吸引力，以及 DV 和 VL 形成能的应变灵敏性。在二聚体原子相互作用的经验水平上 (Tersoff 潜能)，这三个参数都有利于在 Si(001) 表面上更倾向于 DV 自组装而非在 Ge(001) 上。两种缺陷之间最显著的差异关乎单个 DV 的形成能，其在后者中的值大约是前者的三倍。通过计算 DV 和 VL 的应变依赖形成能，我们提出可通过施加约 2% 的压缩应变来实现在洁净 Ge(001) 表面上空位的自组织。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310711,
title = {Comparative study of dimer vacancies and dimer-vacancy lines on Si(001) and Ge(001)},
author = {C. V. Ciobanu and D. T. Tambe and V. B. Shenoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310711},
year = {2009}
}
备注
3 tables, 4 figures, to appear in Surface Science