硅表面的应变效应与互混：混合量子力学与分子力学研究
材料科学
2014-10-15 v1
摘要
我们通过混合量子力学与分子力学计算（QM/MM）研究了Ge在Si(001)表面的混合，并表征了 Si(001)重构。该方法避免了虚假的弹性阻尼，能够正确考虑重构表面和缺陷表面引起的长程形变。我们特别关注二聚体空位线（DVL）及其与Ge吸附原子的相互作用。我们首先表明，这些缺陷的形成能计算值高度依赖于化学势的选择，且必须谨慎选择化学势。在表征DVL对形变场的影响时，我们还发现DVL有利于Ge在靠近DVL的第四层中偏析。利用激活-弛豫技术（ART nouveau）和QM/MM，我们证明了一条复杂的扩散路径允许Ge原子在第四层中的替代，其势垒与中间温度下观察到的混合现象一致。
引用
@article{arxiv.1407.0923,
title = {Strain effect and intermixing at the Si surface: A hybrid quantum and molecular mechanics study},
author = {Laurent Karim Béland and Eduardo Machado-Charry and Pascal Pochet and Normand Mousseau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.0923},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 7 figures, 3 tables