邻位 Si(001) 表面氢化学吸附的密度泛函研究
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
计算了分子氢在邻位 Si(001) 表面解离吸附的弛豫原子构型和化学吸附能。我们采用密度泛函理论及 Si 的赝势，并将 Perdew 和 Wang 的广义梯度近似应用于交换关联泛函。我们发现，已知在清洁表面上稳定的双原子高度重键 D_B 台阶，在部分覆盖氢的表面上仍然保持稳定。H 原子优先与重键台阶边缘的 Si 原子结合，相对于台地位置其化学吸附能差大于约 0.1 eV。具有重键单原子高度 S_A 和 S_B 台阶的表面给出了非常相似的结果。结果表明，H-Si-Si-H 单氢化物单元之间的相互作用对台阶边缘氢占据的计算并不重要。我们的结果证实了前一篇论文中 Raschke 和 Hoefer 描述的近期在邻位 Si 表面上 H_2 吸附实验的解释和结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9807329,
title = {Density-functional study of hydrogen chemisorption on vicinal Si(001) surfaces},
author = {E. Pehlke and P. Kratzer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9807329},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 8 figures, submitted to Phys. Rev. B. Other related publications can be found at http://www.rz-berlin.mpg.de/th/paper.html