Si和Ge (001)型晶体表面模型中的预粗糙化转变
统计力学
2009-10-30 v1
摘要
Si和Ge (001)晶面的单轴结构导致台阶具有非平凡的拓扑性质，从而产生有趣的平衡相变。无序平坦相和预粗糙化转变可以在不需要台阶-台阶相互作用的情况下稳定存在。通过转移矩阵类型的界面自由能有限尺寸标度，对描述此现象的模型进行了数值研究。其相图包含一个平坦相、一个粗糙相和一个无序平坦相，它们由粗糙化和预粗糙化转变线分隔。我们对预粗糙化线与粗糙化线合并的多临界点位置的估计预测，Si和Ge (001)会发生由预粗糙化诱导的同时解构转变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9704228,
title = {Preroughening transitions in a model for Si and Ge (001) type crystal surfaces},
author = {Jae Dong Noh and M. den Nijs},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9704228},
year = {2009}
}
备注
13 pages, RevTex, 7 Postscript Figures, submitted to J. Phys. A