CsCl 型晶体 (100) 晶面中粗糙化诱导的去重构
统计力学
2009-10-28 v1
摘要
交错 6-顶点模型描述了 CsCl 型晶体 (100) 晶面中表面粗糙化与重构之间的竞争。由于存在一条完全填充的环-气体线，其相图并不具有预期的通用结构。我们证明，如果这些自由度相互作用较弱，则重构转变和粗糙化转变既不能穿过也不能合并到这条环-气体线上。然而，我们的数值有限尺寸标度分析表明，两条临界线沿着环-气体线合并，并具有强耦合标度性质。中心荷远大于 1.5，并且粗糙化发生在远大于常规普适值的表面粗糙度下。似乎额外的涨落同时变得临界。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9610067,
title = {Roughening Induced Deconstruction in (100) Facets of CsCl Type Crystals},
author = {Douglas Davidson and Marcel den Nijs},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9610067},
year = {2009}
}
备注
31 pages, 9 figures