应变 SiGe 层于掘槽纹 Si(001) 模板上 2D-3D 过渡的初始阶段
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了应变 Ge 层在掘槽纹 Si(001) 模板上 2D-3D 过渡的初始阶段。在掘槽内，经过优化的 Si 缓冲层生长后，掘槽呈现倒置、截止锥形。Ge 湿润层发展出由 {105} 和 (001) 面构成的复杂形貌。这些结果归因于掘槽侧壁上由应变驱动的阶梯蜿蜒不稳定性，以及这些面在尖锥凹交点处的阶梯簇集不稳定性。尽管两种不稳定性都由应变驱动，但通过掘槽中的几何限制，才能实现它们的共存。表明，掘槽表面形貌向低能面上的转化对掘槽底部平坦区域的 Ge 岛的优先生长具有重要影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602175,
title = {Initial stage of the 2D-3D transition of a strained SiGe layer on a pit-patterned Si(001) template},
author = {Gang Chen and Herbert Lichtenberger and Guenther Bauer and Wolfgang Jantsch and Friedrich Schaffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602175},
year = {2009}
}
备注
19 pages, 7 figures