Si 与 Ge(001) 表面生长初期阶段的差异

G. Brocks; J. H. Snoeijer; P. J. Kelly; H. J. W. Zandvliet; Bene Poelsema

Si 与 Ge(001) 表面生长初期阶段的差异

材料科学 2007-05-23 v1

作者: G. Brocks , J. H. Snoeijer , P. J. Kelly , H. J. W. Zandvliet , Bene Poelsema

摘要

研究并比较了 Ge 和 Si 在 Ge(001) 表面以及 Si 在 Si(001) 表面的初始生长阶段。两种表面上都存在着非平衡的稀释吸附二聚体行列，这些行列是单晶生长的中间阶段。意外的是，Ge(001) 上的这些行列仅出现在 <310> 方向，而 Si(001) 上的首选方向是 <110>。这种 Si 与 Ge 表面的质化差异反映了这两种元素化学性质的细微差别，这直接影响着这些表面的单晶生长。

关键词

单晶生长硅锗吸附二聚体晶向

引用

@article{arxiv.cond-mat/0205600,
  title  = {The difference between Si and Ge(001) surfaces in the initial stages of growth},
  author = {G. Brocks and J. H. Snoeijer and P. J. Kelly and H. J. W. Zandvliet and Bene Poelsema},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0205600},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 3 figures

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