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GaAs(0 0 1)预粗糙化过程的时间演化

介观与纳米尺度物理 2015-06-24 v1 材料科学

作者: Z. Ding , D. W. Bullock , P. M. Thibado , V. P. LaBella , K. Mullen

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摘要

观察到GaAs(0 0 1)表面从完全平坦演化为一半被自发形成的单分子层高的GaAs岛覆盖的表面。该过程的动力学使用扫描隧道显微镜以原子尺度分辨率进行监测。令人惊讶的是，坑的形成主导了岛形成的早期阶段。报道了对成核过程的深入认识。

关键词

GaAs(0 0 1)表面预粗糙化扫描隧道显微镜岛形成坑形成成核表面演化

引用

@article{arxiv.1503.03809,
  title  = {Time-evolution of the GaAs(0 0 1) pre-roughening process},
  author = {Z. Ding and D. W. Bullock and P. M. Thibado and V. P. LaBella and K. Mullen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.03809},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 4 figures